IT之家 7 月 15 日消息，当地时间 7 月 14 日，韩国存储芯片巨头 SK 海力士在纳斯达克上市的存托凭证（ADR）迎来强劲行情，单日股价大涨 27.29% 收报 193.92 美元 / 股，创下美股上市以来新高。

这一轮暴涨使得 SK 海力士 ADR 相对韩国首尔市场普通股的溢价大幅攀升至 51%。而在 7 月 10 日该股以存托凭证形式登陆纳斯达克时，发行定价为每份 149 美元，上市首日开盘价 170 美元，收盘报 168.01 美元，较发行价上涨约 12.8%。彼时 ADR 较韩国正股的溢价仅为 15.53% 左右。短短三个交易日，溢价水平便从约 3% 的发行价差急速膨胀至 51%。

SK 海力士此次赴美上市本身便创下了纪录。该公司通过发行 1.779 亿份美国存托股份（ADS）募集资金 265 亿美元，超过 2014 年阿里巴巴的 250 亿美元融资规模，成为外国企业赴美融资规模最大的一次 IPO。上市首日市值便达到 1.22 万亿美元，超越美光科技，位居美股市值第 11 位。

推动 SK 海力士股价大涨的直接动力来自 AI 行业的需求爆发。作为英伟达等 AI 算力企业的核心 HBM 供应商，SK 海力士在全球 HBM 市场占据绝对领先地位。

据 Counterpoint Research 统计，2026 年第一季度 SK 海力士以 58% 的市场份额位居全球 HBM 市场第一，三星电子和美光各占 21%。机构预测 SK 海力士 2026 年全年 HBM 出货市占率约 52%，若以销售额计算，HBM 营收有望达 59.5 亿美元，稳居全球第一。

研究机构 SemiAnalysis 在 7 月 14 日发布的一份报告中指出，SK 海力士 2026 年第二季度及未来的 DRAM 盈利将保持强劲，预计 DRAM 综合平均售价环比将大幅增长约 45%。这份报告发布的时间点恰逢韩国本土券商韩国投资证券（KIS）此前一天下调了 SK 海力士二季度业绩预期，引发韩国市场股价单日暴跌超 15%。SemiAnalysis 的报告在很大程度上扭转了市场情绪，推动美股 ADR 强势反弹。

从行业层面看，全球存储芯片市场已走出前两年的产能过剩与价格低谷。据 Gartner 预测，全球存储半导体市场规模将从 2025 年的 2160 亿美元增长至 2026 年的 6330 亿美元，同比增长 192.7%。HBM 作为 AI 服务器的核心配件，需求尤为旺盛 ——2026 年 HBM 需求预计同比增长 90%。与此同时，HBM 生产周期长达 4 至 6 个月，产能释放存在明显滞后，供需错配进一步推高了存储芯片价格。

目前全球存储市场基本由三星电子、SK 海力士和美光三家垄断。凭借 HBM 领域的先发优势以及与英伟达的深度合作，SK 海力士在此轮 AI 存储涨价潮中成为最大受益者之一。不过芯片行业周期性波动显著，后续若行业产能集中释放或 AI 终端需求增速放缓，存储芯片涨价节奏可能面临调整，股价也将随之承压。

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